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芯片解封也稱開(kāi)封、開(kāi)蓋和開(kāi)帽，開(kāi)封過(guò)程中主要是去除互連結(jié)構(gòu)中的下填料（主要成份為環(huán)氧樹脂），使引線鍵合或芯片本身完整裸露出來(lái)。
微熱絲化學(xué)氣相沉積(HOT FILAMENT CHEMICAL，VAPOR DEPOSITION，HFCVD)技術(shù)是金剛石薄膜沉積的常用技術(shù)之一，具有設(shè)備簡(jiǎn)單、操作便利、成本較低、適用于大面積、復(fù)雜形狀刀具金剛石涂層沉積等優(yōu)點(diǎn)。
標(biāo)準(zhǔn)漏孔有兩種形式：一種，漏孔一端真空另一端為一個(gè)大氣壓的示漏氣體，稱做真空標(biāo)準(zhǔn)漏孔；另一種，漏孔一端 氣另一端加高于一個(gè)大氣壓的示漏氣體，常稱做正壓標(biāo)準(zhǔn)漏孔。
本真空標(biāo)準(zhǔn)裝置主要用于( 1.3×105 ～ 1.3×10-1 ) Pa范圍內(nèi)電容薄膜真空計(jì)，熱偶真空計(jì)等的檢定/校準(zhǔn)工作，主要具有以下特點(diǎn)： 1.1兼顧比較法和膨脹法兩種裝置，便于客戶靈活靈活掌握和保證設(shè)備可以長(zhǎng)期使用； 1.2膨脹法裝置部分選取所有儀器和設(shè)備均可以提供長(zhǎng)期質(zhì)保。比較法用標(biāo)準(zhǔn)器電容薄膜規(guī)有原廠提供質(zhì)保。 1.3采用專用軟件進(jìn)行數(shù)據(jù)采集及處理，工作效率高； 1.4系統(tǒng)軟件終身免費(fèi)升級(jí)，裝置總體水平達(dá)到國(guó)內(nèi)先進(jìn)水平。
本資料針對(duì)DBLS10-5氦氣漏孔校準(zhǔn)裝置的組成、操作以及維護(hù)。本裝置適用于計(jì)量測(cè)試單位開(kāi)展標(biāo)準(zhǔn)漏孔校準(zhǔn)，量值溯源。本系統(tǒng)結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，易于操作、維護(hù)，效率高。
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上海青浦區(qū)勝利路聯(lián)東U谷1680號(hào)17幢1-2層
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